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本发明公开了一种宽稳定性窄带铌酸钾钠基铁电陶瓷材料及其制备方法，该材料其化学式为(1-x-y)K0.5Na0.5NbO3-y(BaNb0.5Ni0.5O3)-xLiNbO3,通过传统的陶瓷制备固相反应法，经过烘料，配料、球磨、烘干，预烧、二次球磨、烘干，造粒、成型、烧结、抛光和被银电极，获得该陶瓷材料，制备工艺简单，成本低，无污染，该陶瓷材料具有介电常数高并且在较宽的温度范围内保持稳定，介电损耗小，光谱带隙较窄，制备工艺简单，制备成本低的优点，具有较强的应用。

本发明公开了一种高介电温度稳定兼具储能特性的钛酸铋钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xCaSnO3，其中x的取值为0.10～0.15。本发明通过配料、球磨、预烧、过筛、压片、烧结制备而成。本发明制备方法简单、成本低廉、重复性好、成品率高。其中x＝0.12时，陶瓷材料在基准温度下的介电常数为εr150℃＝840、介电损耗tanδ150℃＝0.003，在‑94～500℃的温度范围内，容温变化率满足TCC150℃≤±15％，其介电常数随温度变化小，具有优异的温度稳定性，同时具有好的储能性能。

本发明提供了一种宽温谱钛酸铋钠‑钛酸钡基铁电陶瓷电介质材料及其制备方法和应用，属于高温领域宽温谱温度稳定性多功能电介质陶瓷材料技术领域。本发明通过引入SrNb2O6，利用带隙和缺陷作用，调控钛酸铋钠‑钛酸钡固溶体的温度稳定性。由于钨青铜晶体结构与钙钛矿晶体结构的差别，Sr2+离子与Nb5+离子与钙钛矿铁电陶瓷系统的A位和B位离子价态，离子半径不同，易于干扰钛酸铋钠‑钛酸钡基体的铁电长程有序，影响极性纳米微区之间的耦合，使引入的缺陷偶极子有效抑制粒子尺寸，从而调控温度稳定区间；SrNb2O6本身较低的铁定‑顺电相变温度，有效降低NBT‑BT的退极化温度，进一步提高体系温场稳定区间。

本发明公开了一种高击穿的铁电陶瓷，其化学计量式为Na1-2xMgxNbO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将MgO添加到NaNbO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到Na1-2xMgxNbO3陶瓷样品。本发明提供的高击穿的Na1-2xMgxNbO3陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种高击穿的铁电陶瓷基体。