发明专利已授权

基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202110062494.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-01-18

公开号

CN112885922B

公开日

2022-09-27

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_109

IPC 分类号

H01L31_109 , H01L31_18 , H01L27_144 , B82Y40_00 , B82Y15_00 ,

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器纳米光电子器件半导体材料

应用场景

光通信, 光学传感, 成像检测, 红外探测, 智能传感

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摘要

本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。同时，制备方法可以提高器件性能，具有较高的推广价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种超疏水自清洁辐射自降温材料及其制备方法

当前第 / 件

一种干巴菌菌种及其制备方法与应用

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