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发明专利
已授权
一种宽温度稳定性的高储能密度铌酸锶钠基钨青铜陶瓷及制备方法
📄 申请号:CN202110105439.0
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2021-01-26
公开号
CN112876247A
公开日
2021-06-01
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C04B35_495
IPC 分类号
C04B35_495
,
C04B35_622
,
C04B41_88
,
技术画像
所属领域
钨青铜结构陶瓷
钨青铜结构陶瓷
储能陶瓷材料
铌酸盐陶瓷
应用场景
储能电容器, 脉冲功率电容器, 电力电子设备, 新能源汽车, 温度稳定型电容器
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摘要
本发明公开了一种宽温度稳定性的高储能密度铌酸锶钠基钨青铜陶瓷及制备方法,采用固相合成方法,以填充型钨青铜材料Sr2NaNb5O15为基础,掺入一定量的Ta5+替代Nb5+,其化学式是Sr2NaNb5‑x料Ta,x具O1有5,其较中高0的.0可≤恢x≤复2储.0能。本密发度明W获rec得=的3.脉99冲J/储cm能3,介较质高陶的瓷储材能效cm率3,η电=流9密1.7度%可,在达917205.k8VA//ccmm电2,能场下量,存功储率性密能度较P现D=有7产8.品7M有W大/幅提升。更重要的是,储能密度在较宽的温度范围内变化率小于2.5%,表现出优异的温度稳定性。所述制备方法工艺流程简单,适合工业化生产,同时符合当前无铅环保的要求。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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