发明专利已授权

一种碳化硅微沟槽中子探测器结构

Name: 一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2022104062302
Availability: InStock

📄 申请号：CN202210406230.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-04-18

公开号

CN114784132A

公开日

2022-07-22

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_115 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

中子探测器碳化硅半导体器件中子探测技术半导体探测器中子探测器

应用场景

核反应堆监测, 核辐射安全检测, 中子散射实验, 中子成像, 核材料检测

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个外延层范围内的纵向电场则呈现非常均匀的分布。均匀的外延层纵向电场分布能使探测器在更低的衬底工作偏压下实现灵敏区的全耗尽，可有效降低SiC微沟槽中子探测器的全耗尽工作电压，进而降低后端供电电路研发成本并，同时提高探测器和后端电路的工作可靠性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114784132A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构

当前第 / 件

杜仲籽粕多肽及在抗疲劳产品/制备抗疲劳产品中的应用

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_0352)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖42个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：50 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)