发明专利已授权

一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构

📄 申请号：CN202210406250.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-04-18

公开号

CN114784133A

公开日

2022-07-22

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_115 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

中子探测器中子探测器碳化硅半导体器件半导体辐射探测器

应用场景

核辐射监测, 中子探测, 核能安全, 中子成像, 空间辐射探测

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摘要

本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层，之后在第一层N型层上外延第一层P型层，之后在第一层P型层外延层上外延第二层N型层，之后在第二层N型层外延层上外延第二层P型层，直到外延最后一层为N型层为止。如果外延的N型层一共有M层，则外延的P型层一共有M‑1层，总的外延层数为2M‑1层。每个N型层与每个P型层的厚度、掺杂浓度完全相同。本发明在外延层内部形成“锯齿形”的纵向电场分布，该电场分布更加均匀，使探测器在更低的衬底偏压下实现外延层的全耗尽，从而有效降低SiC微沟槽中子探测器的工作电压。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种阻燃弹性抗菌复合纱线及其生产工艺

当前第 / 件

一种碳化硅微沟槽中子探测器结构

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