发明专利已授权

一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用

📄 申请号：CN201710238070.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-04-13

公开号

CN106981531B

公开日

2018-09-07

申请人

商丘师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_0352 , H01L31_18 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料纳米结构纳米制造

应用场景

传感器, 催化, 储能器件, 生物医学, 电子器件

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摘要

本发明公开了一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用，所述的三维纳米结构阵列是由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。本发明制得的三维纳米结构阵列中辐射状生长的纳米线直径较小，长度和密度较大，大大增加了材料的比表面积，从而增大了三维纳米结构阵列的对光的吸收面积，使其对光的吸收较一维纳米阵列有明显的增强；同时由于规则排列的纳米线外侧，细小纳米线的辐射状生长，且辐射状生长的纳米线的密度较大，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了三维纳米结构阵列对光线入射角度的敏感性，在光伏领域应用时可以避免不断随光照角度变化而改变太阳能电池角度，导致成本增加的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240816

?? 专利权的转移：

20240809

?? 专利权的转移：

20180907

✅ 授权

20170818

?? 实质审查的生效：

20170725

📄 公开

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