发明专利已授权

一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜及其制备方法、应用

📄 申请号：CN201910437391.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-23

公开号

CN110212042B

公开日

2020-11-03

申请人

西安湄南生物科技股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_18 , H01L21_02 ,

技术画像

所属领域

半导体薄膜材料半导体薄膜材料光伏材料薄膜制备技术

应用场景

太阳能电池, 光伏发电, 薄膜光伏器件, 光电探测

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摘要

本发明公开了一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜及其制备方法、应用，原料为含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物，由所述原料与溶剂混合固化后，经硒化处理所得。本发明根据铜锑硫前驱体溶液的优点，制备出的薄膜元素可控，而且能够制备出带隙在一定范围内可控的铜锑硫薄膜；采用半密闭空间的双温区硒化技术，实现了Cu3Sb(S，Se)4薄膜的带隙可调。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240206

?? 专利权的转移：

20201103

✅ 授权

20191008

?? 实质审查的生效：

20190906

📄 公开

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