发明专利已授权

一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用

📄 申请号：CN202310687411.1 📄 发布日：2026/07/06

著录项目信息

申请日

2023-06-12

公开号

CN116639967B

公开日

2024-10-29

申请人

电子科技大学长三角研究院(湖州)

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_16

IPC 分类号

C04B35_16 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

电子陶瓷材料电子陶瓷材料介电材料低温共烧陶瓷

应用场景

5G通信, 射频器件, 电子元器件, 集成电路封装

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摘要

本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统

当前第 / 件

一种存算一体智能计算架构中的Concat算子简化处理方法

同领域国内专利 · IPC: (C04B35_16)

C04B35_00 C04B35_01 C04B35_04 C04B35_043 C04B35_057 C04B35_10 C04B35_101 C04B35_103 C04B35_106 C04B35_14 C04B35_16 C04B35_185 C04B35_19 C04B35_195 C04B35_20 C04B35_22 C04B35_26 C04B35_30 C04B35_38 C04B35_40 C04B35_42 C04B35_44 C04B35_443 C04B35_447 C04B35_45 C04B35_453 C04B35_46 C04B35_462 C04B35_465 C04B35_468 C04B35_47 C04B35_472 C04B35_475 C04B35_48 C04B35_488 C04B35_49 C04B35_491 C04B35_495 C04B35_497 C04B35_50 C04B35_505 C04B35_515 C04B35_52 C04B35_524 C04B35_528 C04B35_532 C04B35_547 C04B35_553 C04B35_56 C04B35_563 C04B35_565 C04B35_571 C04B35_573 C04B35_577 C04B35_58 C04B35_581 C04B35_582 C04B35_583 C04B35_5831 C04B35_5833 C04B35_5835 C04B35_584 C04B35_596 C04B35_597 C04B35_599 C04B35_622 C04B35_626 C04B35_628 C04B35_63 C04B35_632 C04B35_634 C04B35_64 C04B35_66 C04B35_74 C04B35_76 C04B35_80 C04B35_81 C04B35_83 覆盖78个领域

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