发明专利已授权

基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法

📄 申请号：CN201911259202.7 📄 发布日：2026/06/09

著录项目信息

申请日

2019-12-10

公开号

CN111106204A

公开日

2020-05-05

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_112

IPC 分类号

H01L31_112 , H01L31_113 , H01L31_101 , H01L31_109 ,

技术画像

所属领域

日盲紫外探测器半导体器件光电子器件高电子迁移率晶体管日盲紫外探测器

应用场景

紫外探测, 导弹预警, 火焰检测, 紫外通信, 环境监测

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摘要

本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种理袋机的输送及整理机构

当前第 / 件

一种药物真空封装装置及方法

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