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本发明公开了一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器及制备方法，所述探测器依次包括蓝宝石衬底，置于蓝宝石衬底上方的β‑Ga2O3光吸收层，置于β‑Ga2O3光吸收层上方的SSO层，置于SSO层上方的第一测试电极以及置于β‑Ga2O3光吸收层上方的第二测试电极；其中于β‑Ga2O3光吸收层与SSO层，形成β‑Ga2O3/SSO异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，具有自供电性能可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，在高压电晕检测领域具有很大的应用前景。

本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。