发明专利已授权

具有NiO/SiCpn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管

📄 申请号：CN201911241773.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-12-06

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L21_331 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体器件绝缘栅双极晶体管

应用场景

新能源汽车, 工业电机驱动, 智能电网, 轨道交通, 光伏逆变器

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摘要

本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230224

✅ 授权

20200602

?? 实质审查的生效：

20200508

📄 公开

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