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高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN201911141243.6 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2019-11-20

公开号

CN110867486A

公开日

2020-03-06

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_737

IPC 分类号

H01L29_737 , H01L29_267 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管异质结双极晶体管锗硅半导体材料太赫兹半导体器件

应用场景

太赫兹通信, 6G无线通信, 射频微波系统, 高速通信设备, 雷达探测系统

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摘要

本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1-xGaxP(x＝0～1)作为SiGe-HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

餐厨垃圾油水分离系统

当前第 / 件

一种强韧耐蚀钛合金及其制备方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：77 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

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