发明专利 已授权

一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法

📄 申请号:CN202110168120.2 📄 发布日:2026/05/07

著录项目信息

申请日
2021-02-07
公开号
CN113004047B
公开日
2022-02-11
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

高温结构材料, 耐磨涂层, 航空航天, 切削工具, 核工业

摘要

本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法,属于高熵化合物材料制备技术领域,所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷,包括以下摩尔比的氮化物:18%~22%的CrN、18%~22%的VN、18%~22%的NbN、18%~22%的TiN、其余为ZrN;所述制备方法包括三个步骤:预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度,实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结,得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷,丰富了陶瓷材料体系,制备的高熵陶瓷块体晶粒细小,断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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