发明专利已授权

一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法

📄 申请号：CN202310844334.6 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2023-07-11

公开号

CN116947498A

公开日

2023-10-27

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_565

IPC 分类号

C04B35_565 , C04B35_80 , C04B35_628 ,

技术画像

所属领域

陶瓷基复合材料陶瓷基复合材料界面涂层材料 MAX相材料

应用场景

航空航天, 核能工程, 高温结构部件, 热防护系统

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摘要

本发明属于复合材料技术领域，具体公开了一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti3SiC2原料预处理、备用Ti3SiC2浆料制备、碳化硅纤维预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高速气流粉碎配合高能球磨、超声剥离处理使Ti3SiC2颗粒比单纯的球磨处理平均粒度更小且分布均匀。本发明的方法重复性好，对设备要求低，适用于大尺寸构件的大批量生产，同时能确保Ti3SiC2界面致密均匀孔隙少，Ti3SiC2纯度高，界面厚度可调控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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