发明专利已授权

一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装

📄 申请号：CN202510173617.1 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2025-02-18

公开号

CN119673910B

公开日

2025-04-25

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_498

IPC 分类号

H01L23_498 , H01L23_367 ,

技术画像

所属领域

氮化硅陶瓷半导体封装功率半导体模块陶瓷基板氮化硅陶瓷

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电源, 智能电网, 航空航天电子

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摘要

本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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