发明专利已授权

一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

📄 申请号：CN202010045173.0 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2020-01-13

公开号

CN111187062B

公开日

2022-03-01

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_22

IPC 分类号

C04B35_22 , C04B35_453 , C04B35_495 , C04B35_622 , C04B35_64 ,

技术画像

所属领域

微波介质陶瓷微波介质陶瓷复合陶瓷材料电子陶瓷

应用场景

5G通信基站, 微波通信, 卫星通信, 雷达系统, 电子元器件

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摘要

本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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