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本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。

本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

本发明公开了一种Li2MoO4‑Mg2SiO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4，其中x＝10，50，70，80，85，90或95wt％。该方法首先将氧化镁和二氧化硅以一定的化学计量比称量，球磨均匀，干燥，预烧得到Mg2SiO4。然后将制备好的Mg2SiO4与Li2MoO4原料以一定的重量比称量，加入15wt％的去离子水，混合均匀，将混合物在200℃，500MPa下热压60分钟，并在120℃下干燥24小时以除去残留的水分，得到超低温冷烧结xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4复合陶瓷材料。相比于传统高温固相烧结(常常高于1000℃以上)，该方法烧结温度在室温到200℃之间，工艺简单，节约能源并可广泛应用于Li2MoO4‑Mg2SiO4复合陶瓷基片生产。

本发明公开了一种高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为Sr3La2-xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.6，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1270℃～1290℃下烧结良好，介电常数为29.4～33.7，其品质因数Qf值高达107000-139000GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了Sr3La2-xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.6陶瓷具有良好的微波介电性能。

本发明公开了一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为ALa4Ti3MO15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1230℃～1260℃下烧结良好，介电常数为44.3～45.7，其品质因数Qf值高达35200‑47700GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了B位缺位型六方钙钛矿结构的ALa4Ti3MO15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)陶瓷具有良好的微波介电性能。

本发明公开了一种六方钙钛矿结构微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为ASr3LaM4O15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1230℃～1260℃下烧结良好，介电常数为30.4～31.9，其品质因数Qf值高达43700‑59100GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了B位缺位型六方钙钛矿结构的ASr3LaM4O15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)陶瓷具有良好的微波介电性能。

本发明属于微波介质陶瓷材料技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷LiF及其制备方法，其中，制备方法主要包括热压及后续热处理。通过调控热压工艺及后续热处理温度制备的LiF陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，介电常数εr为6.4～8.3，品质因数Qf值的范围为44011～122044GHz。本发明的微波介质陶瓷LiF在无线通讯设备，如微波基板、微波滤波器等元器件中，有极大的应用价值。

本发明公开了一种具有中介电常数和超低介电损耗的微波介质陶瓷、制备方法及其应用。本发明微波介质陶瓷的化学表达式为：Sr2(Ti1‑xZrx)O4，其中0

📄 2018100103237 📂 H01B3_12 👤 宁波猎知乐科技咨询有限公司 📅 2018-01-05

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