发明专利已授权

基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法

Name: 基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法
Brand: 湖南知名未来科技有限公司
SKU: 201910863823X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910863823.X 📄 发布日：2026/07/30

著录项目信息

申请日

2019-09-12

公开号

CN110459629A

公开日

2019-11-15

申请人

湖南知名未来科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_0445 , H01L31_072 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池掺杂半导体材料太阳能电池制备

应用场景

光伏发电, 可再生能源, 分布式能源, 建筑一体化光伏

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摘要

本发明公开了基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池，从下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层和金属电极，吸光层为Mg掺杂硫化锑薄膜；还公开了制备方法，包括：①清洗氧化物透明导电衬底并烘干；②电子传输层的制备；③吸光层的制备：将含Mg元素的硫化锑前驱体溶液旋涂于电子传输层上，加热生成Mg掺杂硫化锑；重复旋涂与加热反应步骤调节Mg掺杂硫化锑薄膜厚度；在惰性气体环境下退火使Mg掺杂硫化锑薄膜结晶得无机吸光层；④电极的制备。本发明的薄膜太阳能电池吸光性好、电池短路电流高、设备转化效率明显改善，Mg掺杂使薄膜更光滑、均匀、致密，减少载流子的复合；本发明的方法原料和工艺简单、设备要求低。

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图1

图2

图3

法律状态时间线

20251230

?? 专利权的转移：

20210101

✅ 授权

20191210

?? 实质审查的生效：

20191115

📄 公开

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