发明专利已授权

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202210291433.1 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2022-03-23

公开号

CN114725234B

公开日

2024-03-22

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_09

IPC 分类号

H01L31_09 , H01L31_0224 , H01L31_032 , H01L31_0376 , H01L31_20 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

紫外通信, 火焰探测, 导弹预警, 环境监测, 电力设备放电检测

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摘要

本发明属于深紫外探测领域，涉及日盲紫外探测器，具体提供一种基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用叉指电极设置于衬底上、非晶Ga2O3薄膜层直接覆盖衬底与电极上的新型结构，相比于非晶Ga2O3薄膜层设置于衬底上、叉指电极设置于非晶Ga2O3薄膜层上的现有结构，本发明能够消除器件后制作过程中a‑Ga2O3薄膜污染的可能性，改善了材料的界面态，最大程度降低了界面处产生缺陷从而影响器件性能；并且维持了较好的表面形貌，避免光刻胶对材料光学性能产生不利影响；同时，反式结构有利于电荷的短距离传输，避免电荷在传输过程中造成的损耗，提升了器件的响应时间。综上，本发明的提供了一种兼具高响应度与快速响应时间的非晶Ga2O3日盲紫外探测器。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240322

✅ 授权

20220726

?? 实质审查的生效：

20220708

📄 公开

基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法

当前第 / 件

一种析氧光阳极材料的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_09)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

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