发明专利已授权

基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202210297477.5 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2022-03-24

公开号

CN114823930B

公开日

2023-04-11

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0216

IPC 分类号

H01L31_0216 , H01L31_032 , H01L31_0376 , H01L31_09 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

紫外探测, 火焰探测, 高压电晕放电检测, 导弹尾焰预警, 紫外通信

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摘要

本发明公开了基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法，解决现有非晶氧化镓日盲紫外探测器中缺陷较多，导致器件响应时间慢，且无法在高温环境下工作的问题，非晶Ga2O3日盲紫外探测器通过制备衬底工艺、紫外光刻技术处理工艺及原子层沉积设备处理工艺得到；且在进行原子层沉积设备处理工艺时，分别采用(环戊二烯基)镁、TEG和氧气作为Mg源、Ga源和O源；制备方法，首先将大块的原材料经切割和清洗得到1×1cm2大小的衬底；然后将衬底采用负胶光刻法制备叉指电极图案，再采用双源电子束物理气相沉积法制备金电极于衬底上表面形成初品；最后将初品采用等离子体增强原子层沉积法沉积MgO钝化层薄膜和非晶Ga2O3薄膜于衬底与叉指电极上表面。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于地基激光雷达点云数据的叶面积求解方法

当前第 / 件

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_0216)

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