发明专利已授权

一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法

Name: 一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 2019107532488
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910753248.8 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-08-15

公开号

CN110400834B

公开日

2020-12-29

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_08 , H01L29_739 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体制造工艺

应用场景

新能源发电, 电动汽车, 轨道交通, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种无snapback效应逆导IGBT及其制造方法。本发明的主要方案是对IGBT背面的集电极结构进行改进，通过优化P++集电极区和N++层的掺杂浓度和厚度，尽量降低器件的反向阻断电压，利用反向阻断模式时的雪崩击穿效应和隧道击穿效应，实现反向导通。与常规逆导IGBT相比，由于不存在N+短路区，正向导通时不存在由MOSFET导通模式向IGBT导通模式的转变，因此本发明提出的新型逆导IGBT正向导通时不会发生snapback现象。由于本发明提出的新型逆导IGBT反向导通的阈值电压较常规逆导IGBT更大，因此适用于诸如准谐振电路一类正向导通时间占大部分而反向导通时间较短的情况。此外，本发明提出的新型逆导IGBT还具有正向导通压降小、软恢复特性好等优点。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201229

✅ 授权

20191126

?? 实质审查的生效：

20191101

📄 公开

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