发明专利已授权

基于备份电路的原位老化传感器及老化监测方法

Name: 基于备份电路的原位老化传感器及老化监测方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 2019108415138
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910841513.8 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-09-06

公开号

CN110456256B

公开日

2021-07-13

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R31_28

IPC 分类号

G01R31_28

技术画像

所属领域

传感器技术传感器技术集成电路可靠性电路老化检测

应用场景

芯片可靠性测试, 集成电路老化监测, 电子设备寿命预测, 半导体制造工艺监控, 汽车电子可靠性评估

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摘要

本发明公开了基于备份电路的原位老化传感器及老化监测方法，设置与原电路组合逻辑单元相同的备份组合逻辑单元，还包括备份组合逻辑单元、多个多路复用器和计数器；在不同时刻ti(i＝0、1、2、···)分别对所述原电路组合逻辑单元和所述备份组合逻辑单元进行测试，得到不同时刻ti下两者的总延时值；将tn时刻下两者的总延时值与tm时刻下两者的总延时值分别进行对比，利用备份组合逻辑单元的对比值修正原电路组合逻辑单元的对比值，得到由时刻tm至时刻tn的原电路组合逻辑单元的老化系数。实现了高精度的老化测量，抵消了工艺、温度对老化监测的影响，保障了军用电子设备电路的高可靠性，能够及时发现电路的隐患。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110456256B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法

当前第 / 件

一种基于片上网络的数据采集方法

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