发明专利已授权

一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件

Name: 一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件
Brand: 电子科技大学
SKU: 2020101350949
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010135094.9 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2020-03-02

公开号

CN111403385B

公开日

2022-10-14

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_07

IPC 分类号

H01L27_07 , H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管肖特基二极管

应用场景

功率集成电路, 开关电源, 工业电机驱动, 新能源汽车, 光伏逆变器

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管，在反向工作状态下形成由两个串联二极管组成的载流子流通路径，使得器件具有反向导通的能力；同时，当器件工作在正向状态时，P型肖特基二极管不会开启，从而消除了电压折回现象。更重要的是，本发明在实现反向导通和消除电压折回现象的同时缩短了器件的长度，从而大幅度的提升了器件的性能：增强了器件的反向恢复特性、使得器件具有更短的反向恢时间，减小了器件的导通压降、优化了IGBT器件导通压降和关断损耗之间的矛盾关系。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221014

✅ 授权

20200804

?? 实质审查的生效：

20200710

📄 公开

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