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本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。本发明减小了4H‑SiC沟槽IGBT的栅氧底部拐角的电场强度，达到降低器件的正向导通压降以减小器件损耗的目的。

超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管，涉及功率半导体器件。本发明包括集电极、缓冲区、漂移区、欧姆接触重掺杂区、沟道区、发射区、绝缘介质层、主栅极，其特征在于，晶体管中部设置有电场加强单元，用于产生一个由集电极指向电场加强单元的电场，所述电场加强单元通过绝缘介质与晶体管其他部分隔离。本发明能够增大器件通态电流密度，也能加强漂移区内的电场调制效应，降低器件的漂移区电阻，降低通态压降；同时，该电场在器件要关断时还能够加速漂移区内过剩载流子的移除，大幅度缩短器件的关断时间，抑制拖尾电流现象。

本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。