发明专利已授权

一种降低死区损耗的GaN驱动器

📄 申请号：CN202210048020.0 📄 发布日：2026/07/02

著录项目信息

申请日

2022-01-17

公开号

CN114421740B

公开日

2023-04-28

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_08

IPC 分类号

H02M1_08

技术画像

所属领域

驱动器功率半导体器件栅极驱动电路电力电子技术驱动器

应用场景

开关电源, 服务器电源, 车载充电机, 光伏逆变器, 通信电源

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摘要

本发明属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，具体为一种降低死区损耗的GaN驱动器。该驱动器利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，基于高K介质功率器件有针对性的设计出对应的电路结构，来实现的GaN驱动优化。在两个死区时间内，本发明中的GaN管栅极电压始终钳位在一个固定电压，且该固定电压低于GaN功率管正向导通的阈值电压，即使低侧GaN管的漏极电压被抬高也不会使GaN功率管正向导通，从而显著减小死区时间内源漏之间的压降，无需通过减少死区时间即可实现降压DC‑DC应用中的死区损耗降低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管

当前第 / 件

一种具有双重保护功能的GaN驱动器

同领域国内专利 · IPC: (H02M1_08)

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