发明专利已授权

一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法

📄 申请号：CN202210026261.5 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2022-01-11

公开号

CN114409389B

公开日

2022-11-04

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_16

IPC 分类号

C04B35_16 , C04B35_622 , C04B35_64 ,

技术画像

所属领域

低介电陶瓷材料低介电陶瓷材料低温共烧陶瓷电子陶瓷材料

应用场景

5G通信设备, 电子封装基板, 微波射频器件, 高频通信模块, LTCC基板

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摘要

本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221104

✅ 授权

20220520

?? 实质审查的生效：

20220429

📄 公开

一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料

当前第 / 件

一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

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