发明专利已授权

一种具备栅极自钳位功能的三维IGBT及其制造方法

Name: 一种具备栅极自钳位功能的三维IGBT及其制造方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 2021107097826
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110709782.6 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-06-25

公开号

CN113421922A

公开日

2021-09-21

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L29_423 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件结构半导体制造工艺

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业变频, 智能电网, 轨道交通

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种具备栅极自钳位功能的三维IGBT及其制造方法。本发明结构与常规IGBT相比，阴极金属通过第一P型阱区、第三P型阱区与第二P型阱区连接，且栅极金属与部分第二N型阱区上表面接触，从而在本发明结构中引入了寄生二极管结构，包括第二N型阱区与第二P型阱区构成的PN结，栅极金属与第二N型阱区上表面接触的部分作为寄生二极管的阴极，阴极金属与P型阱区接触的部分作为寄生二极管的阳极。本发明的结构避免了IGBT器件应用高频变换器时栅电压震荡导致器件误开启甚至击穿器件栅电容而使器件失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致的器件失效的问题。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220513

✅ 授权

20211012

?? 实质审查的生效：

20210921

📄 公开

基于阴极短路栅控晶闸管的隔离型双向直流固态断路器

当前第 / 件

基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路

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