发明专利 已授权

基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路

📄 申请号:CN202210549764.0 📄 发布日:2026/05/13

著录项目信息

申请日
2022-05-20
公开号
CN114937470B
公开日
2023-04-07
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

人工智能芯片, 神经网络加速, 边缘计算, 数据中心, 低功耗计算

摘要

本发明属于集成电路技术领域,具体的说是基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上添加两个晶体管构成传输门实现乘法,并且增加加法器树进行部分和累加,采用位串行输入模式和移位累加器完成多比特运算,从而实现了在SRAM存储阵列内进行精度无损的矩阵向量乘法运算。本发明了实现了无精度损失的多比特SRAM存内计算,具有面积小,并行度高的特点,适用于需要进行大规模乘累加计算的卷积神经网络系统。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (G11C11_54)

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:43 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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