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发明专利
已授权
基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路
📄 申请号:CN202210549764.0
📄 发布日:2026/05/13
著录项目信息
申请日
2022-05-20
公开号
CN114937470B
公开日
2023-04-07
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G11C11_54
IPC 分类号
G11C11_54
,
G11C11_419
,
G06N3_063
,
G06F7_544
,
G06F7_502
,
G06F5_01
,
G06N3_0464
,
技术画像
所属领域
存内计算
存内计算
SRAM存储电路
集成电路设计
应用场景
人工智能芯片, 神经网络加速, 边缘计算, 数据中心, 低功耗计算
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摘要
本发明属于集成电路技术领域,具体的说是基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上添加两个晶体管构成传输门实现乘法,并且增加加法器树进行部分和累加,采用位串行输入模式和移位累加器完成多比特运算,从而实现了在SRAM存储阵列内进行精度无损的矩阵向量乘法运算。本发明了实现了无精度损失的多比特SRAM存内计算,具有面积小,并行度高的特点,适用于需要进行大规模乘累加计算的卷积神经网络系统。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种具备栅极自钳位功能的三维IGBT及其制造方法
当前第 / 件
一种零均值误差的近似4-2压缩器
同领域国内专利 · IPC: (G11C11_54)
G11C11_401
G11C11_406
G11C11_4063
G11C11_413
G11C11_54
覆盖
5
个领域
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
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📋 项目申报:
未申报
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