发明专利已授权

一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201811146778.8 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-09-29

公开号

CN109300975B

公开日

2021-03-30

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_423 , H01L21_331 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管电磁干扰抑制

应用场景

新能源汽车, 工业自动化, 储能系统, 轨道交通, 智能电网

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构，假元胞区与金属化发射极相连，并不浮空；二是在假元胞上表面垂直延伸进器件形成多晶硅二极管结构，从而将P型半导体条与金属化发射极通过浮空欧姆接触与多晶硅二极管结构连接在一起，达到钳位P型半导体条电势的作用。在器件开启时，空穴电流对栅电容的充电作用被极大削弱，从而大大增加器件的栅极控制能力同时降低了器件的电磁干扰噪声。在器件导通时，二极管钳位P型半导体条的电势，抑制其对空穴的抽取作用，增强了器件的电导调制效应，降低了导通压降。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管

当前第 / 件

一种基于SiC DSRD器件的脉冲压缩结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：115 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)