发明专利已授权

一种基于SiC DSRD器件的脉冲压缩结构

📄 申请号：CN202110199288.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-02-23

公开号

CN113009425A

公开日

2021-06-22

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01S7_282

IPC 分类号

G01S7_282

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件脉冲功率技术半导体器件

应用场景

雷达系统, 激光驱动器, 脉冲功率系统, 粒子加速器, 电力电子设备

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种对SiC DSRD器件的脉冲压缩结构。本发明的基于SIC DSRD器件的脉冲压缩结构，包括基本的信号发生器，脉冲压缩技术，以及脉冲输出，其中脉冲压缩技术包括多路并联结构和多级串联结构，通过多路并联和多级串联实现对DSRD器件的脉冲压缩，可以极大的增加脉冲输出峰值和缩短脉冲前沿。本发明克服了传统的SiC DSRD器件的脉冲输出方法其脉冲输出低，脉冲前沿慢，以及频率特性不高的缺陷。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220805

✅ 授权

20210709

?? 实质审查的生效：

20210622

📄 公开

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