发明专利已授权

一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201910233378.9 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-03-26

公开号

CN109904224B

公开日

2022-04-05

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L23_552 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管沟槽栅结构

应用场景

新能源汽车, 工业变频, 光伏逆变器, 储能变流器, 电力电子变换

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摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：基于常规载流子储存槽栅双极型晶体管(CSTBT)结构，将空穴势垒层结构引入器件，并放置于漂移区结构与发射极结构之间。空穴势垒层结构各个区域均为浅结结构，可以通过外延技术形成，也可以通过离子注入或者扩散的技术形成，其长宽尺寸以及掺杂浓度可根据实际器件性能要求设计。在器件开启时，器件通过横向P/N结的耗尽，在栅极底部附近形成横向空穴势垒层，从而空穴电流对栅电容的充电作用被极大削弱，极大增加了器件的栅极控制能力同时降低了器件的电磁干扰噪声。因此，本发明具有极低电磁干扰(EMI)噪声的同时还有较低的功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220405

✅ 授权

20190712

?? 实质审查的生效：

20190618

📄 公开

一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器

当前第 / 件

一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

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