发明专利已授权

一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管

📄 申请号：CN201710845321.5 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2017-09-19

公开号

CN107527951B

公开日

2019-11-01

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_745

IPC 分类号

H01L29_745

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件晶闸管半导体器件

应用场景

电力电子变换, 高压直流输电, 电机驱动, 电网无功补偿, 工业电源

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著影响器件导通特性的情况下提高了阴极短路栅控晶闸管的输入电容，使脉冲放电过程中器件输入电容上的电势差减小，进而有利于避免栅介质击穿，提高器件在脉冲应用情况下的鲁棒性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191101

✅ 授权

20180126

?? 实质审查的生效：

20171229

📄 公开

一种功率半导体器件及其制造方法

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：107 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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