发明专利已授权

一种功率半导体器件及其制造方法

📄 申请号：CN201510752924.1 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2015-11-09

公开号

CN105304699A

公开日

2016-02-03

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_74

IPC 分类号

H01L29_74 , H01L29_06 , H01L21_332 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体制造工艺电力电子器件

应用场景

电源转换, 电动汽车, 工业控制, 新能源发电, 轨道交通

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180109

✅ 授权

20160302

?? 实质审查的生效：

20160203

📄 公开

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