发明专利已授权

一种氮化镓双向开关器件

📄 申请号：CN201611095490.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2016-12-02

公开号

CN106653837B

公开日

2019-09-13

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_772

IPC 分类号

H01L29_772 , H01L29_78 , H01L29_417 , H01L29_423 , H01L29_47 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓半导体器件双向开关器件

应用场景

电力电子变换, 新能源汽车, 电机驱动, 充电桩, 储能系统

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摘要

本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件。本发明提供了一种不存在欧姆接触的栅控遂穿双向开关器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响(如电流崩塌，与传统CMOS工艺不兼容)。通过每个肖特基接触附近的绝缘栅结构控制肖特基接触的能带结构来改变器件的工作状态，实现双向开关的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190913

✅ 授权

20170606

?? 实质审查的生效：

20170510

📄 公开

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