发明专利已授权

一种碳化硅门极可关断晶闸管

📄 申请号：CN201910842029.7 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-09-06

公开号

CN110534567A

公开日

2019-12-03

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_745

IPC 分类号

H01L29_745 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅器件晶闸管

应用场景

电力电子变换, 智能电网, 轨道交通, 新能源汽车, 工业驱动

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规N型碳化硅GTO的门极区进行改造，在常规的器件P-门极层13结构下增加了一层掺杂浓度比P-门极层与N-漂移区都要高的P型外延层，即(P+ gate buffer层)，由于P+门级缓冲层12的存在，一方面可以在门极区快速降低电场强度，避免器件发生串通击穿；另一方面P+门级缓冲层12的存在使得P-门极层的厚度和掺杂浓度可以明显降低，同时P+门级缓冲层12由于浓度差会形成电场，从而加速N+阴极区7电子的注入，从而获得较快的导通特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210727

✅ 授权

20191227

?? 实质审查的生效：

20191203

📄 公开

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当前第 / 件

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