发明专利已授权

一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201810954897.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-08-21

公开号

CN109103240B

公开日

2021-08-20

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅工艺横向双极型晶体管

应用场景

电力电子, 功率集成电路, 电源管理, 电机驱动, 新能源发电

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体管的阴极区进行了改造，通过隔离氧化层将器件分为MOS区和传统LIGBT结构区，MOS区分为第一NMOS区和第二MOS区，第一NMOS区和第二MOS区共用一个P+源极短路区。传统LIGBT结构区的栅极与第一NMOS的栅极通过金属互联作为本发明器件栅极，第一NMOS的N+漏区通过金属互联与传统LIGBT的N+源区连接，传统LIGBT的P+源区通过金属互联与第二N型MOS的栅极和漏极相连，传统LIGBT的N+源区通过金属互联与第一N型MOS的N+漏区相连，第一和第二NMOS的N+源区及共用的P+源极短路区通过金属短接作为本发明器件的阴极，传统LIGBT结构区的阳极作为本发明器件阳极。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210820

✅ 授权

20190122

?? 实质审查的生效：

20181228

📄 公开

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当前第 / 件

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