发明专利已授权

一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201811357021.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-11-15

公开号

CN109346515A

公开日

2019-02-15

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体器件绝缘栅双极型晶体管

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能变流器, 工业电机驱动, 轨道交通牵引

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管。本发明对常规碳化硅IGBT的阴极区进行改造，通过在P+场截止层下增加一层N-IEB层(N type-Injection Enhanced Buffer layer，N型注入增强缓冲层)，由于N型注入增强缓冲层掺杂浓度较低，提高了该区域内少数载流子寿命及迁移率，从而增大了阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大了阴极注入效率。且由于在N型衬底与N型注入增强缓冲层之间由于浓度差会产生内建电场，其方向由N型衬底指向N型注入增强缓冲层，阻止少子空穴由N型注入增强缓冲层向N型衬底扩散，从而降低少子空穴扩散电流，进而也增大了阴极注入效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210608

✅ 授权

20190312

?? 实质审查的生效：

20190215

📄 公开

一种碳化硅MOS栅控晶闸管

当前第 / 件

一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

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