发明专利已授权

一种逆阻型氮化镓器件

📄 申请号：CN201710371935.4 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2017-05-24

公开号

CN107170810B

公开日

2020-03-31

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_47

IPC 分类号

H01L29_47 , H01L29_778 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓器件半导体器件结构

应用场景

电力电子变换, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电机驱动

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，本发明提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管

当前第 / 件

一种功率器件封装结构及封装方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_47)

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