发明专利已授权

一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管

Name: 一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管
Brand: 电子科技大学
SKU: 2018106789279
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810678927.9 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-06-27

公开号

CN108831932B

公开日

2021-07-02

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

H01L29_872 , H01L29_207 , H01L29_205 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体氮化镓电子器件

应用场景

电力电子, 功率转换, 高频开关电源, 新能源汽车电驱, 5G基站射频

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摘要

本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向MIS‑肖特基混合阳极二极管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的混合阳极二极管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.50GaN层作为势垒层，AlGaN势垒层中Al摩尔分量从0％到50％渐变。薄的变铝组分AlGaN层能够减小肖特基阳极电极到二维电子气的距离，增加沟道二维电子气浓度，并消除AlGaN/GaN异质结处导带差，进而能够降低所提出器件的开启电压和导通压降。同时阳极部分的金属‑绝缘体‑半导体结构(MIS)能够有效降低器件反向漏电流，增加器件反向耐压。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管

当前第 / 件

一种逆阻型氮化镓器件

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