发明专利已授权

一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管

📄 申请号：CN201811592251.8 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-12-25

公开号

CN109671768B

公开日

2021-08-17

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_10 , H01L29_20 , H01L29_778 , H01L23_373 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率电子器件氮化镓器件

应用场景

电力电子, 5G通信, 新能源汽车, 电源转换, 高功率射频

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明设计功率半导体技术，具体的说是一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管，主要为通过在势垒层插入AlN区域来降低沟道峰值电场，进而达到增大耐压和减少散热的目的。另外，本发明采用导热特性良好的AlN作为器件的钝化层，不仅有助于抑制电流崩塌，还起到了加快散热的作用。本发明的优异效果为，提高了器件的反向耐压，改善了器件的输出特性，并降低了器件的沟道温度，从而抑制了电流崩塌和自热效应带来的危害。本发明尤其适用于具有高耐压能力和低沟道温度的GaN异质结场效应晶体管。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210817

✅ 授权

20190517

?? 实质审查的生效：

20190423

📄 公开

一种功率器件结终端结构

当前第 / 件

一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：87 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)