发明专利已授权

一种功率器件结终端结构

📄 申请号：CN201410787496.1 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2014-12-18

公开号

CN104505401A

公开日

2015-04-08

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_40

IPC 分类号

H01L29_40 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率器件功率半导体器件半导体器件结构结终端技术功率器件

应用场景

电力电子, 新能源发电, 电动汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20171201

✅ 授权

20150506

?? 实质审查的生效：

20150408

📄 公开

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