发明专利已授权

一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN201510294056.7 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2015-06-01

公开号

CN104992968A

公开日

2015-10-21

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L21_331 , H01L29_36 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件制造工艺电力电子器件

应用场景

新能源汽车, 工业自动化, 储能系统, 轨道交通, 智能电网

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摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P-body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中，J1所在的支路首先导通，电子注入到N-漂移区4，促使阳极P区向漂移区注入空穴，空穴经外延P-body区到达阴极。随着J2电流的增大，Rp两端的压降增大，使得达林顿管开启。在导通状态下，N型CS层5与P型外延区PN结的高空穴密度降低了导通电阻，关断时更容易抽取N-漂移区4的空穴，从而降低了关断时间和关断损耗。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管及其制造。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180302

✅ 授权

20151118

?? 实质审查的生效：

20151021

📄 公开

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