发明专利已授权

采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法

📄 申请号：CN202010107279.9 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2020-02-21

公开号

CN111293113B

公开日

2023-01-10

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02 , H01L27_082 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体工艺版图设计

应用场景

电力电子, 新能源发电, 轨道交通, 工业驱动, 智能电网

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，具体的说是涉及一种采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法。本发明主要是在常规SGTO器件板图和工艺的基础上，采用单层金属工艺，将栅极金属和阴极金属图形做在同一金属层上，通过单次淀积和刻蚀工艺同时完成正面栅极和阴极金属图形化。通过合理的版图结构布局，在不牺牲器件导通性能的情况下简化了器件制造工艺，提高了器件的可靠性，有利于SGTO器件的商用化。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种面向无人机宽波段热像仪的地表温度反演方法

当前第 / 件

一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_02)

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