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本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置有沟槽，所述沟槽具有底壁和侧壁，所述底壁与侧壁的转角处设置圆角；在所述沟槽表面覆盖有随形的Al2O3介电层，在所述介电层表面覆盖有随形的低功函数接触层，在所述漂移层的背离衬底的面上设置有高功函数肖特基接触；其中，所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3，所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3。采用本发明的Ga2O3肖特基势垒二极管，能够获得3.4kV高击穿电压，低至5.4mΩ.cm2导通电阻和小于1pA/cm2极低泄漏电流的器件。