发明专利已授权

MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法及探测器

📄 申请号：CN202210555083.5 📄 发布日：2025/11/17

著录项目信息

申请日

2022-05-20

公开号

CN114927596A

公开日

2022-08-19

申请人

重庆理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_028 , H01L31_032 , H01L31_0336 , H01L31_109 ,

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器半导体器件纳米材料

应用场景

光通信, 高速光互联, 光电传感, 红外探测, 成像系统

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摘要

本发明公开了一种MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n‑Ge衬底，清除n‑Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。本发明还公开了一种通过上述方法制得而成的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器，该探测器结构简单，工作稳定，检测效果好，响应时间极快，精度和可靠性高，还具有体积小、重量轻的优点，另外传感器制作容易，成本低廉。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于法-珀干涉的透明流体折射率的测量方法

当前第 / 件

ReS2(1-x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法及探测器

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