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一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法

Name: 一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法
Brand: 武汉工程大学
SKU: 2020103831356
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010383135.6 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2020-05-08

公开号

CN111470869A

公开日

2020-07-31

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_565

IPC 分类号

C04B35_565 , C04B35_573 , C04B35_622 , C04B38_00 , B01D71_02 , B01D67_00 , B01D69_02 ,

技术画像

所属领域

碳化硅陶瓷膜碳化硅陶瓷膜无机分离膜膜材料制备

应用场景

水处理, 固液分离, 化工过滤, 环保工程

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摘要

本发明公开了一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法，首先制备出固含量为58～70voL％、粘度为800～1000mPa·s的碳化硅浆料，然后采用喷涂的方法将该浆料均匀的喷覆在支撑体上经过一定烧结工序制得分离膜；本发明所述制备工艺可有效避免分离膜成型后烧结过程中的开裂等问题，显著提升碳化硅分离膜的强度、成品率和耐久性能，且涉及的制备方法简单，适合推广应用。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN111470869A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种多孔碳化硅陶瓷支撑体的制备方法

当前第 / 件

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议价

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