发明专利 已授权

电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管

📄 申请号:CN202410414314.X 📄 发布日:2025/12/23

著录项目信息

申请日
2024-04-08
公开号
CN118315470B
公开日
2024-11-12
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

红外探测, 光通信, 图像传感, 医学成像, 环境监测

摘要

本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管,属于光电晶体管技术领域;光电晶体管包括基底,基底上设置有栅极,栅极上包裹有绝缘层,绝缘层上设置有有源层,有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层;硒化铅薄膜的右端设置有源极,绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极;栅极采用电栅形式,利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型,内部形成卷积核,用算法测试验证卷积核,利用卷积神经网络模型构建样本校正,用算法测试验证,实现对光的寻址,提高了光电晶体管的准确性;且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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