发明专利已授权

二维硫化铼光电探测器及制备方法

📄 申请号：CN202111051057.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-09-08

公开号

CN113937175B

公开日

2024-06-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_102 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料光电探测器光电子器件

应用场景

光通信, 光电传感, 成像技术, 激光雷达, 环境监测

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法

当前第 / 件

防触电插座

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_032)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：22 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

二维硫化铼光电探测器及制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_032)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法

一种用于癌细胞筛查的荧光光谱测量集成电路

一种多通道叠层有机光电探测器

服务项目

资源中心

关于柿子坊