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本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。

本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。