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摘 要:本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料,所述超巨磁电阻材料的化学通式为:(PrCLaDSrECaF)MnO3,其中,Mn为金属锰,O为氧,其中,C+D=0.7,E+F=0.3,所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单,易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著,磁电阻较高,金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200~300K温度范围内随成分变化连续可调,且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610868690.1 | 专利名称: | 钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料及其制备方法 |
申请日: | 2016-09-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/50搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |